2025 年 7 月 6 日消息，据媒体报道，在 2025 年北大研究生毕业典礼上，长江存储首席科学家、校友霍宗亮作为校友代表发言，为毕业生们送上祝福与建议。

霍宗亮表示，北大自诞生之日起，就肩负着民族复兴的使命；北大人的血液里，流淌着 “家国天下” 的基因。我们要做的就是不害怕坐冷板凳，不贪求快速的回报，在自主研发的道路上默默奋斗。

在长江存储的这十来年，团队卧薪尝胆，一路披荆斩棘，使我国的三维闪存芯片技术从无到有，从落后到赶超，实现了跨越式的发展。如今，相关架构已成为国际存储器技术的主流架构。

霍宗亮还称，在任何一个领域，想要取得一番突破性的成就，都要做好吃些苦头的心理准备。

据悉，长江存储科技有限责任公司成立于 2016 年 7 月，总部位于 “江城” 武汉，是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器 IDM 企业。长江存储也是全球首家量产 232 层 3D NAND 闪存的厂商，提供完整的存储器解决方案。该公司不仅为全球合作伙伴供应 3D NAND 闪存晶圆及颗粒、嵌入式存储芯片，还提供消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。

长江存储的发展历程，堪称一部中国闪存芯片技术的崛起史。2014 年，3D NAND 闪存项目正式启动。次年，9 层 3D NAND 闪存测试芯片通过电气性能验证。2016 年，长江存储第一代 3D NAND 闪存测试芯片设计完成，同年 7 月 26 日，公司在武汉正式成立。2017 年 10 月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款 3D NAND 闪存，并于次年实现量产。这一成果标志着中国在闪存芯片领域迈出了从无到有的关键一步。

2019 年 9 月，搭载长江存储自主创新 Xtacking 架构的第二代 TLC 3D NAND 闪存正式量产，这是技术上的又一次重大飞跃。同年，第三代 TLC 3D NAND（X2 – 9060）设计完成，并实现首次流片。2020 年 4 月 13 日，首款第三代 128 层 QLC 3D NAND 闪存（型号：X2 – 6070）研发成功，该型号作为首款第三代 QLC 闪存，拥有发布之时业界最高的 I/O 速度、最高的存储密度和最高的单颗容量，展现了长江存储在技术创新上的强大实力。

2021 年，第三代 TLC/QLC NAND（X2 – 9060/X2 – 6070）量产，eMMC/UFS 量产出货，长江存储 1 期工厂实现满产。2022 年，基于第三代 NAND 的系统解决方案上市，同年 10 月 26 日，长江存储推出致态 TiPlus7100。2023 年 9 月 26 日，正式发布 Ti 系列家族的首款产品 —— 致态 Ti600 固态硬盘，该产品采用长江存储原厂 QLC 闪存颗粒，基于长存创新的晶栈 ®Xtacking®3.0 架构，顺序读取速度高达 7000MB/s，提供多种容量选择，适用多场景。

2025 年 2 月，长江存储与三星电子签署了专利许可协议，三星电子从长江存储获得了 3D NAND “混合键合” 专利，这是一种将晶圆与晶圆直接键合的尖端封装技术，彰显了长江存储在专利技术方面的领先地位。截至 2025 年 3 月，长江存储在 NAND 市场的份额已超过 5%，逐步在全球存储市场中占据重要地位。

从最初的艰难起步，到如今的技术领先与市场份额提升，长江存储团队的努力和坚持功不可没。正如霍宗亮所言，他们在自主研发的道路上默默奋斗，承受了无数压力，克服了重重困难。未来，长江存储有望继续保持创新的步伐，在全球闪存芯片市场中创造更多辉煌，为我国集成电路产业的发展注入更强大的动力。